Samsung Revoluciona Armazenamento com Chips NAND de 400 Camadas para Centros de IA

A Samsung prepara-se para dar um salto gigantesco na tecnologia de armazenamento com o desenvolvimento de chips NAND flash de 400 camadas, uma inovação que promete transformar o panorama dos centros de dados dedicados à inteligência artificial.

Como a Nova Tecnologia Vai Mudar o Armazenamento de Dados

A divisão Device Solutions (DS) da Samsung está a desenvolver uma tecnologia revolucionária chamada BV NAND (bonding vertical NAND), que separa as células de memória do circuito periférico em diferentes wafers, unidos posteriormente num único chip.

Esta abordagem inovadora permite minimizar o aquecimento e maximizar tanto a capacidade como o desempenho.

O novo design apresenta um aumento de 1,6 vezes na densidade de bits por área unitária, o que torna possível a criação de unidades de estado sólido (SSD) com capacidades ultraelevadas, ideais para aplicações de IA.

Rumo a Uma Nova Era de Armazenamento Massivo

A Samsung não para nas 400 camadas. A empresa sul-coreana já traçou um roteiro ambicioso que inclui o lançamento da 11ª geração V11 NAND em 2027, prometendo uma velocidade de transferência de dados 50% mais rápida que a geração atual.

O objetivo mais audacioso, no entanto, está previsto para 2030, quando a empresa pretende ultrapassar a marca das 1.000 camadas.

Esta evolução é fundamental para manter a Samsung na liderança do mercado de NAND de alta capacidade, especialmente num momento em que as aplicações de IA exigem soluções de armazenamento cada vez mais robustas.

Impacto no Mercado e nas Aplicações de IA

Os novos chips de 400 camadas representam um avanço significativo em relação aos atuais V9 NAND de 286 camadas.

Esta evolução tecnológica deve permitir a criação de SSDs com capacidade superior a 200TB, estabelecendo novos padrões para centros de dados que processam grandes volumes de informação.

A tecnologia BV NAND não só aumenta a capacidade de armazenamento, como também melhora a eficiência energética, um fator crucial para os centros de dados modernos que precisam equilibrar desempenho com sustentabilidade.

O Futuro do Armazenamento Está em Desenvolvimento

Para além dos avanços na tecnologia NAND, a Samsung também está a trabalhar no desenvolvimento de novas gerações de DRAM.

A empresa planeia lançar as memórias DRAM 1c de sexta geração e 1d de sétima geração até ao final de 2024, especialmente projetadas para chips de IA de alto desempenho.

Esta estratégia abrangente demonstra o compromisso da Samsung em fornecer soluções completas para as crescentes necessidades de processamento e armazenamento no campo da inteligência artificial.