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A corrida por mais memória nos nossos computadores, smartphones e outros dispositivos tecnológicos é implacável.
A Samsung não quer ficar atrás e aposta forte nas revolucionárias memórias DRAM 3D, um mercado que deverá atingir os 100 mil milhões de dólares até 2028.
Uma revolução para enfrentar desafios
Para a gigante tecnológica, esta é uma aposta estratégica para lidar com a redução cada vez maior dos chips de memória tradicionais. O tamanho minúsculo deixa pouco espaço para inovação nos designs existentes, obrigando os fabricantes a encontrarem novas soluções.
A Samsung acredita que a solução está na tecnologia 3D DRAM, que permite uma utilização mais eficiente do espaço e maior densidade de memória por chip.
Duas abordagens, um objetivo
Com o objetivo de ficar na linha da frente desta revolução, a Samsung apresentou duas abordagens promissoras:
- Transistores de Canal Vertical: Os tradicionais transístores com o canal de fluxo de corrente horizontal são coisa do passado. Com designs verticais, a Samsung pretende reduzir significativamente o espaço necessário para cada transístor.
- Stacked DRAM Neste método, em vez da organização horizontal das células de memória, a Samsung pretende empilhá-las, colocando vários blocos numa disposição tridimensional. Isto permitiria aos chips individuais atingirem capacidades de armazenamento incríveis na ordem dos 100GB ou mais!
Laboratório em Silicon Valley
Se tens dúvidas acerca da determinação da Samsung, considera isto: a empresa criou um laboratório dedicado exclusivamente para a pesquisa e desenvolvimento de memórias 3D DRAM no coração tecnológico do mundo — Silicon Valley.
Este movimento mostra que a Samsung pretende atrair os melhores cérebros para acelerar a inovação nesta nova tecnologia.
A revolução da memória está em curso e a Samsung dá sinais claros de querer liderá-la.
A corrida será frenética, com os outros grandes fabricantes de memória certamente a preparar as suas próprias cartas na manga. Mas para já, a Samsung posiciona-se como uma força a ter em conta.
Pontos principais:
- A Samsung Electronics aposta forte no desenvolvimento de memórias 3D DRAM para assumir o mercado num futuro próximo.
- As limitações dos designs atuais de memória com a redução da dimensão dos chips estão a acelerar a procura por soluções inovadoras.
- A Samsung está a desenvolver Transistores de Canal Vertical para reduzir drasticamente o tamanho ocupado pelos transístores.
- Stacked DRAM pode aumentar a capacidade de um único chip para mais de 100GB, ao empilhar as células de memória em camadas.
- A empresa tem um laboratório totalmente dedicado à pesquisa de 3D DRAM em Silicon Valley, dando uma clara indicação dos seus planos de liderança neste segmento.
Resumo:
A Samsung está determinada a tornar-se líder no setor da memória 3D DRAM, considerada a próxima grande fronteira na tecnologia de memória, e que tem um valor de mercado estimado de 100 mil milhões de dólares. Com os chips a ficarem cada vez mais pequenos, os designs de memória atuais estão com dificuldades, daí a necessidade de soluções inovadoras. A empresa sul-coreana aposta em duas tecnologias principais: Transistores de Canal Vertical e Stacked DRAM. Os Transistores de Canal Vertical viram o design tradicional de lado, tornando-os muito mais compactos. O Stacked DRAM, como o nome indica, empilha camadas de células de memória num único chip, aumentando significativamente a capacidade. A Samsung aposta forte nesta tecnologia e mostra a sua intenção com um laboratório dedicado de pesquisa de 3D DRAM em Silicon Valley.